핀펫(FinFET) 트랜지스터는 반도체 소자를 미세화하면서 발생하는 문제를 해결하기 위해 개발됐다. 전통적인 평면형 모스펫(MOSFET) 구조에서는 소자를 극도로 미세화할 경우, 누설 전류가 증가하는 문제가 있었다. 이를 해결하기 위해 채널을 수직으로 뻗은 지느러미 형태로 만들어 채널의 3면을 게이트로 감싸는 구조를 채택했다. 이른바 핀펫(FinFET) 구조다. 핀펫 구조는 게이트의 통제력을 강화해 누설 전류를 줄였다. 22나노미터 공정에서 시작해 5나노미터 공정에 이르기까지 사용됐으며, 소자의 미세화를 가능하게 하면서도 성능을 유지하고 전력 소모를 줄이는 데 기여했다.